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三星台积电制程大比拼台积传17年下半量产10nmFinFETOFweek电子工程网dd-【新闻】

发布时间:2021-04-11 16:19:39 阅读: 来源:光谱仪厂家

三星台积电制程大比拼 台积传17年下半量产10nm FinFET - OFweek电子工程网

OFweek电子工程网讯:南韩三星电子(Samsung Electronics)凭借着14 纳米 (nm)FinFET制程、成功对台湾台积电造成威胁,传出可能自台积电手中夺回少部分或大部份(说法众说纷纭) 苹果 (Apple)A9处理器订单,而三星更是在日前于旧金山展示了全球首见专为移动设备设计的10nm FinFET 半导体制程、且预计于2年后开始供货,但台积电也不是省油的灯,传出有望最快在2017年下半年开始大量生产 (量产)10nm FinFET。 日本总合情报网站「Gadget速报」6日报导,据海外媒体WCCFtech指出,台积电竞争对手三星、英特尔(Intel)已于日前宣示计画在2017年内开始提供10nm FinFET,但台积电也不弱人后,计画于2017年下半年至2018年上半年期间开始量产10nm FinFET。 报导指出,英特尔以外的厂商所生产的14/16nm制程是沿用20nm制程的配线层,因此英特尔的半导体制程实质上可说是采用「更优异的技术」,但目前仍无法确定英特尔此种技术优势能否在10nm世代制程持续拥有。 台积电财务长何丽梅曾在1月15日举办的法说会上表示,该公司10纳米制程预计今(2015)年底可望完成设计定案(Tape out);台积电总经理暨共同执行长刘德音则指出,10纳米制程将于2017年量产。 VR-Zone、G 4 Games 2月25日引述ZDNet Korea报导,三星电子在2月22-26日于旧金山举办的国际固态电路会议(International Solid State Circuit Conference,ISSCC)上展示了全球首见的10纳米FinFET半导体制程,有望抢在英特尔之前打造出第一款10纳米行动晶片组。 三星电子半导体事业部总裁Kim Ki-nam在展场中表示,采用10纳米FinFET制程技术的芯片不但更加省电、体积也更小,是物联网 (Internet of Things,IoT)演化进程中相当重要的一步。 日本苹果情报网站iPhone Mania 1月15日报导,熟知苹果动向的凯基证券 (KGI Securities)发表研究报告指出,苹果将在今后1年或2年内在Mac笔电上搭载自家行动处理器「A10X」 ;A10X将采用10纳米FinFET,预计于2016年量产,将由三星吃下100%订单。

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